S29GL256P
技术资料——
S29GL256P PDF技术资料
| S29GL256P 基本参数 | |
|---|---|
| 类型 | MirrorBit NOR FLASH |
| 容量 | 256 (Mb) |
| 工作电压 | 3 (V) |
| S29GL256P 其他特性 | |
| 数据总线宽度 | x8/x16 |
| 接口 | Page (No SRW) |
| 访问速度 | 90, 110 ns |
| 工艺技术 | 90 nm MirrorBit |
| 温度范围 | -40°C to 85°C |
| S29GL256P 封装与引脚 | |
| TSOP56, FBGA64 | |
S29GL256P 概述
Spansion S29GL256P是采用90nm 工艺技术制造的Mirrorbit® 闪存产品。这些设备提供25ns 的快速页面读取时间，相应的随机读取时间可达90, 110 ns。它们配备写入缓冲器，在一个操作中最多可编程32 字/64 字节，与标准编程算法相比，有效编程时间更短。因此，对于当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用程序来说，这些设备是理想的选择。
S29GL256P 特性
- 单个3V 读取/ 编程/ 擦除(2.7-3.6 V)
- 增强的VersatileI/O™ 控制
- 所有输入电平（寻址、控制和DQ 输入电平）和输出均由VIO输入的电压决定。VIO的范围是1.65 到VCC - 90 nm MirrorBit 工艺技术
- 8 字/16 字节页面读取缓冲器
- Page32 字/64 字节写入缓冲器可缩短多字更新的总体编程时间
- 安全硅扇区区域
- 128 字/256 字节扇区，通过8 字/16 字节随机电子序列号提供永久安全的标识
- 可在工厂或者由用户进行编程和锁定 - 统一的64 千字/128 千字节扇区架构
- S29GL256P：256 个扇区 - 通常情况下每个扇区可擦除100,000 次
- 通常情况下20 年数据保持能力
- 提供封装：
- 56 针TSOP
- 64 球加固BGA - 编程和擦除操作的挂起和恢复命令
- 写入操作状态位指明编程和擦除操作是否完成
- 解锁省略编程命令可缩短编程时间
- 支持CFI （Common Flash Interface，通用闪存接口）
- 高级扇区保护的持久和密码方法
- WP#/ACC 输入
- 加快编程速度（当应用了VHH 时），在系统生产期间提高生产量
- 保护第一个或最后一个扇区，忽略扇区保护设置 - 硬件复位输入(RESET#) 复位设备
- 就绪/ 忙碌# 输出(RY/BY#) 检测编程或擦除循环是否完成
