6N136

芯片信息

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6N136(查看) DIP
6N136S(查看) SMD

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技术资料—— 6N136 PDF技术资料

6N136 概述 / 6N136 Description


  6N136光电耦合器包含一个砷化铝镓二极管,该二极管光耦合到一个高速光电晶体管探测器。
  6N136为偏置二极管建立了单独的连接,降低了输入晶体管的基极-集电极容抗,使得6N136的速度比传统光耦提高了数个数量级。  6N136带有内部噪音屏蔽,提供优越的共模抑制,达到10kV/μs。改良的配套方案提供优越的隔离性能,相比220V的工业标准,6N136的工作电压高达480V。

6N136 特性 / 6N136 Features

  • 高速–1 MBit/s
  • 优越的共模抑制–10kV/μs
  • 双重工作电压–480V有效值
  • CTR 保证温度范围 0–70℃
  • U.L.认证(File #E90700)

6N136 应用 / 6N136 Applications

  • 线路接收器
  • 脉冲变压器替代方案
  • CMOS-LSTTL-TTL输出接口
  • 宽频模拟耦合