本节说明ATmega128 的中断处理。更一般的AVR 中断处理请参见 P 12“ 复位和中断处理” 。

Notes:
1. 当熔丝位BOOTRST被编程时，复位后程序跳转到Boot Loader。请参见 P 255“ 支持引导装入程序 – 在写的同时可以读(RWW, Read-While-Write) 的自我编程能力” 。
2. 当寄存器MCUCR的IVSEL置位时，中断向量转移到Boot区的起始地址。此时各个中断向量的实际地址为表中地址与Boot 区起始地址之和。
3. 地址为$0030 - $0044 的中断在ATmega103 兼容模式中不存在。

Table 24给出了不同的BOOTRST/IVSEL设置下的复位和中断向量的位置。如果程序永远不使能中断，中断向量就没有意义。用户可以在此直接写程序。同样，如果复位向量位于应用区，而其他中断向量位于Boot 区，则复位向量之后可以直接写程序。反过来亦是如此。

Note: Boot 区复位地址列P 266Table 112 。对于熔丝位BOOTRST，“1” 表示未编程， “0” 表示已编程。

ATmega128 典型的复位和中断设置如下：

当熔丝位BOOTRST 未编程， Boot 区为8K 字节，且中断使能之前寄存器MCUCR 的 IVSEL 置位时，典型的复位和中断设置如下：

当熔丝位BOOTRST 已编程，且Boot 区为8K 字节时，典型的复位和中断设置如下：

当熔丝位BOOTRST 已编程， Boot 区为8K 字节时，且中断使能之前寄存器MCUCR 的 IVSEL 置位时，典型的复位和中断设置如下：

在应用区和Boot 区之间移动中断

通用中断控制寄存器决定中断向量表的放置地址。

MCU 控制寄存器－ MCUCR

• Bit 1 – IVSEL: 中断向量选择
当IVSEL 为"0“ 时，中断向量位于Flash 存储器的起始地址；当IVSEL 为"1“ 时，中断向量转移到Boot 区的起始地址。实际的Boot 区起始地址由熔丝位BOOTSZ 确定。具体请参考P 255“ 支持引导装入程序 – 在写的同时可以读(RWW, Read-While-Write) 的自我编程能力” 。为了防止无意之间改变中断向量表，修改IVSEL 时需要遵照如下过程:
1. 置位中断向量修改使能位IVCE。
在紧接的4 个时钟周期里将需要的数据写入IVSEL，同时对IVCE 写”0”。
执行上述序列时中断自动被禁止。其实，在置位IVCE 时中断就被禁止了，并一直保持到写IVSEL 操作之后的下一条语句。如果没有IVSEL 写操作，则中断在置位IVCE 之后的4 个时钟周期保持禁止。状态寄存器的位I 不受此序列的影响。
Note:
若中断向量位于Boot区，且Boot锁定位BLB02被编程，则执行应用区的程序时中断被禁止；若中断向量位于应用区，且Boot 锁定位BLB12 被编程， 则执行Boot 区的程序时中断被禁止。有关Boot 锁定位的细节请参见 P 255“ 支持引导装入程序 – 在写的同时可以读(RWW, Read-While-Write) 的自我编程能力” 。