ATtiny2313A
技术资料——
ATtiny2313A PDF技术资料
| ATtiny2313A 存储器 | |
|---|---|
| Flash ROM | 2 KB |
| SRAM | 128 B |
| EEPROM | 128 B |
| ATtiny2313A 性能参数特性 | |
| 工作频率 | 0-20 MHz |
| 工作电压 | 1.8-5.5 V |
| I/O口 | 18 |
| 16位定时器 / 计数器 | 1 |
| 8位定时器 / 计数器 | 1 |
| PWM | 4 |
| RTC | NO |
| SPI | 2 |
| UART | 1 |
| TWI | 1 |
| 10位ADC | NO |
| 模拟比较器 | 1 |
| WDT | YES |
| 外部中断 | 18 |
| 睡眠模式 | 3 |
| 硬件乘法器 | NO |
| 片内振荡器 | YES |
| 引脚电平中断/唤醒功能 | YES |
| 掉电检测 | YES |
| 上电复位 | YES |
| ATtiny2313A 封装与引脚数 | |
| SOIC | 20 |
| PDIP | 20 |
| ATtiny2313A 编程与调试方式 | |
| 编程方式 | ISP、IAP、H/PV |
| 仿真方式 | debugWIRE |
ATtiny2313A 特性
- 高性能、低功耗的8 位AVR 单片机
- 先进的 AVR RISC 结构
- 120 条指令 – 大多数指令执行时间为单个时钟周期
- 32 个8 位通用工作寄存器
- 全静态工作
- 工作于20 MHz 时性能高达20 MIPS
- 非易失性程序和数据存储器
- 2K字节的系统内可编程Flash
- 擦写寿命：10,000 次
- 128字节的系统内可编程EEPROM
- 擦写寿命：100,000 次
- 128字节的片内SRAM
- 可以对锁定位进行编程以及实现EEPROM 数据的加密
- 2K字节的系统内可编程Flash
- 外设特点
- 具有独立预分频器及比较模式的8位定时器/计数器
- 具有独立预分频器及比较、捕获模式的16位定时器/计数器
- 四路 PWM 通道
- 片内模拟比较器
- 具有片内振荡器的可编程看门狗定时器
- USI 通用串行接口
- 全双工 USART
- 特殊的处理器特点
- debugWIRE 片上调试
- 通过SPI 端口在系统内可编程
- 片内/ 片外中断源
- 低功耗空闲模式、噪声抑制模式、待机模式
- 增强型上电复位
- 可编程的掉电检测
- 片内标定振荡器
- I/O 和封装
- 18可编程I/O 线
- 20引脚PDIP，20 引脚 SOIC 与20 引脚MLF/VQFN
- 工作电压:
- 1.8 - 5.5V
- 速度等级
- 0 - 4 MHz @ 1.8 - 5.5 V
- 0 - 10 MHz @ 2.7 - 5.5 V
- 0 - 20 MHz @ 4.5 - 5.5 V
- 工业温度范围
- -40°C to +85°C
- 功耗估计
- 正常模式：190 μA at 1.8V and 1MHz
- 空闲模式：24 μA at 1.8V and 1MHz
- 掉电模式：0.1 μA at 1.8V and +25°C
