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S29GL01GP

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型号 封装 在线定购
S29GL01GP11FFIR10(查看) FBGA64
S29GL01GP11FFIR20(查看) FBGA64
S29GL01GP11TFIR10(查看) TSOP56
S29GL01GP12FFI010(查看) FBGA64
S29GL01GP12TFI010(查看) TSOP56

引脚布局

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技术资料—— S29GL01GP PDF技术资料
S29GL01GP 参数
S29GL01GP 基本参数
类型 MirrorBit NOR FLASH
容量 1 (Gb)
工作电压 3 (V)
S29GL01GP 其他特性
数据总线宽度 x8/x16
接口 Page (No SRW)
访问速度 110, 120, 130 ns
工艺技术 65 nm MirrorBit
温度范围 -40°C to 85°C
S29GL01GP 封装与引脚
TSOP56, FBGA64

S29GL01GP 概述

Spansion S29GL01GP是采用65nm 工艺技术制造的Mirrorbit® 闪存产品。这些设备提供25ns 的快速页面读取时间,相应的随机读取时间可达110, 120, 130 ns。它们配备写入缓冲器,在一个操作中最多可编程32 字/64 字节,与标准编程算法相比,有效编程时间更短。因此,对于当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用程序来说,这些设备是理想的选择。

S29GL01GP 特性

  • 单个3V 读取/ 编程/ 擦除(2.7-3.6 V)
  • 增强的VersatileI/O™ 控制
    - 所有输入电平(寻址、控制和DQ 输入电平)和输出均由VIO输入的电压决定。VIO的范围是1.65 到VCC
  • 65 nm MirrorBit 工艺技术
  • 8 字/16 字节页面读取缓冲器
  • Page32 字/64 字节写入缓冲器可缩短多字更新的总体编程时间
  • 安全硅扇区区域
    - 128 字/256 字节扇区,通过8 字/16 字节随机电子序列号提供永久安全的标识
    - 可在工厂或者由用户进行编程和锁定
  • 统一的64 千字/128 千字节扇区架构
    - S29GL01GP:1024 个扇区
  • 通常情况下每个扇区可擦除100,000 次
  • 通常情况下20 年数据保持能力
  • 提供封装:
    - 56 针TSOP
    - 64 球加固BGA
  • 编程和擦除操作的挂起和恢复命令
  • 写入操作状态位指明编程和擦除操作是否完成
  • 解锁省略编程命令可缩短编程时间
  • 支持CFI (Common Flash Interface,通用闪存接口)
  • 高级扇区保护的持久和密码方法
  • WP#/ACC 输入
    - 加快编程速度(当应用了VHH 时),在系统生产期间提高生产量
    - 保护第一个或最后一个扇区,忽略扇区保护设置
  • 硬件复位输入(RESET#) 复位设备
  • 就绪/ 忙碌# 输出(RY/BY#) 检测编程或擦除循环是否完成