产品简介
S29GL01GP11TFIR10, 1 Gb, 3.0 Volt-only Page Mode MirrorBit NOR FLASH Memory featuring 65 nm MirrorBit Process Technology.
型号标识 / 参数
S29GL01GP11TFIR10的型号标识及主要参数:
S29GL01GP11TFIR10型号标识 |
S29GL01GP |
基本类型 |
11 |
访问速度,110 ns |
T |
封装类型,TSOP56 |
F |
封装材料,无铅 |
I |
温度等级,工业级 |
R1 |
VIO 范围,VIO = VCC = 3.0~3.6 V,最高地址扇区受保护 |
0 |
包装类型,Tray |
S29GL01GP11TFIR10主要参数特性 |
容量 |
1 (Gb) |
接口 |
Page (No SRW) |
访问速度 |
110 ns |
工艺技术 |
65 nm MirrorBit |
工作电压 |
3V |
温度范围 |
-40°C to 85°C |
封装信息
S29GL01GP11TFIR10 封装信息:
包装规格
S29GL01GP11TFIR10 包装规格:
价格表标定的价格为样品价,如需批量采购,欢迎来电咨询洽谈!
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