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K4S561632E-TC75

主要参数
型号 K4S561632E-TC75
封装 54TSOP2
品牌 Samsung
资料 K4S561632E PDF 资料
价格表
对应数量 @1PCS @100PCS @1KPCS @10KPCS
不含税        
含5%普税        
含17%增税        

declaration

产品简介

K4S561632E-TC75, 高速SDRAM, 256Mb, E-die, x16

型号标识 / 参数

K4S561632E-TC75的型号标识和参数如下表所示:
K4S561632E-TC75 的型号标识
K SAMSUNG 存储器
4 DRAM
S 产品系列,SDRAM
56 容量&刷新,256Mb, 8K/64ms
16 位宽,16bits
3 4 Banks(1)
2 接口,LVTTL
E 版本号,第6代
T 封装类型,TSOP2
C 商业级温度,普通功耗
75 7.5ns (133MHz@CL=3)
K4S561632E-TC75 其他参数
工作电压 3.3 V
容量 256 Mb
位宽 16 bits
温度等级 0℃~70℃
(1)2: 2 Banks; 3: 4 Banks

封装信息

K4S561632E-TC75的封装为:
类型:TSOP2
引脚:54
尺寸:400mil x 875mil
引脚间距:0.8 mm

包装规格

K4S561632E-TC75的包装为:
类型一:Tray(托盘装)
每盘:96 pcs
每包:10 盘;960 pcs
总共:6 包;5,760 pcs
类型二:Tape&Reel(卷带装)
每盘:2,000 pcs
总共:5 盘;10,000 pcs

价格表标定的价格为样品价,如需批量采购,欢迎来电咨询洽谈!
K4S561632E-TC75的文字介绍及图片仅供参考,所有信息均以官方最新PDF及实物为准!

Quality
Price_Explain