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IS61LV51216

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IS61LV51216-10TLI(查看) TSOP

引脚布局

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技术资料—— IS61LV51216 PDF技术资料

IS61LV51216 概述


  ISSI的IS61LV51216是一个8M容量,结构为512K*16位字长的高速率SRAM。IS61LV51216采用ISSI公司的高性能CMOS工艺制造。高度可靠的工艺水准加上创新的电路设计技术,造就了这款高性能,低功耗的器件。
  当/CE处于高电平(未选中)时,IS61LV51216进入待机模式。在此模式下,功耗可降低至CMOS输入标准。
  使用IS61LV51216的低触发片选引脚(/CE)和输出使能引脚(/OE),可以轻松实现存储器扩展。低触发写入使能引脚(/WE)将完全控制存储器的写入和读取。同一个字节允许高位(/UB)存取和低位 (/LB)存取。
IS61LV51216 参数
IS61LV51216基本参数
容量   8M (512K*16)
速率   8ns,10ns,12ns
电压   3.3V
IS61LV51216封装与引脚
MBGA   48PIN
TSOP2   44PIN
IS61LV51216接口类型
串行    
并行  

IS61LV51216 特性

    IS61LV51216 主要特性如下:
    高速率
  • 存取时间:8ns,10ns,12ns
  • 全静态操作:不需时钟或刷新
  • 输入输出兼容TTL标准
  • 独立3.3V供电
  • 三态输出
  • 高字节数据和低字节数据可分别控制

  • 低功耗操作
  • CMOS低功耗操作
  • 低待机功耗
    — 低于2 mA(典型值)的CMOS待机模式

  • 工业标准
  • 无铅环保
  • 可选工业级和军工级温度
  • TSOP2-44,MBGA48封装