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IRF840 (Vishay)

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引脚布局

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技术资料—— IRF840 (Vishay) PDF技术资料

IRF840 概述


  IRF840属于Vishay的第三代Power MOSFETs。IRF840为设计者提供了转换快速、坚固耐用、低导通阻抗和高效益的强力组合。
  新系列的低电荷Power MOSFET IRF840LC则具有比传统MOSFETs明显更低的栅电荷。利用新型的LCDMOS技术,IRF840LC性能得到增强且无需增加额外的成本,简化了栅极驱动需求,从而节省了系统总体开销。此外,在大量的高频应用中,IRF840LC减少了转换损耗,效能得到强化。
  TO-220封装的IRF840普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用,低热阻和低成本的TO-220封装,使IRF840得到业内的普遍认可。SMD-220封装的IRF840适用于贴片安装,比起现有的任何其他贴片封装,可说是功率最高,导通阻抗最低。IRF840的SMD-220封装可适应高强度电流的应用。
IRF840 参数
IRF840 基本参数
VDS   500 V
ID @25℃   8.0 A
RDS(on)   0.85 Ω
IRF840 其他特性
FET极性   N型沟道
Qg (Max.)(nC)   63 nC
IRF840 封装与引脚
TO-220, TO-263, TO-262

IRF840 特性

  • 动态dv/dt率
  • 可恢复性雪崩测定
  • 快速转换速率
  • 并行简易
  • 仅需简单驱动
  • 贴片安装 - IRF840S、IRF840LCS、IRF840AS
  • 可选卷带包装 - IRF840S、IRF840LCS、IRF840AS
  • 超低栅电荷 - IRF840LC
  • 增强VGS等级 30 V - IRF840LC
  • 极高工作频率 - IRF840LC
  • 无铅环保