logo

IRF7413

订购信息

型号 封装 在线定购
IRF7413(查看) SO-8
IRF7413G(查看) SO-8
IRF7413Q(查看) SO-8
IRF7413Z(查看) SO-8
IRF7413ZG(查看) SO-8

引脚布局

(点击图片看大图)
技术资料—— IRF7413 PDF技术资料

IRF7413 概述


  IR的第五代HEXFET功率场效应管IRF7413采用先进的工艺技术制造,具有极低的导通阻抗。IRF7413这种特性,加上快速的转换速率,和以坚固耐用著称的HEXFET设计,使得IRF7413成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。
  IRF7413的SO-8封装经过用户化的引脚框架改良,增强了热工特性和复合模性能,使IRF7413成为多种电力应用的理想选择。通过诸如此类的改良,在同一应用中可同时使用多个IRF7413器件,且极大节省了电路板空间。IRF7413的SO-8封装专为气相、红外、或波动焊接技术而设计,在典型的PCB安装应用中,功耗将可能超过0.8W。
IRF7413 参数
IRF7413 基本参数
VDSS   30 V
ID @25℃   13 A
RDS(on) Max   11 mΩ
IRF7413 其他特性
FET极性   N型沟道
Qg Typ   44.0 nC
IRF7413 封装与引脚
SO-8

IRF7413 特性

  • 第五代工艺
  • 超低导通阻抗
  • N型沟道 Mosfet
  • 贴片安装
  • 可选卷带装
  • 动态dv/dt率
  • 快速转换速率
  • 完美的雪崩性能
  • 100% RG 测试
  • 无铅环保