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IRF640

订购信息

型号 封装 在线定购
IRF640N(查看) TO-220AB
IRF640NL(查看) TO-262
IRF640NS(查看) TO-263

引脚布局

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技术资料—— IRF640 PDF技术资料

IRF640 概述


  IR的第五代HEXFET功率场效应管IRF640采用先进的工艺技术制造,具有极低的导通阻抗。IRF640这种特性,加上快速的转换速率,和以坚固耐用著称的HEXFET设计,使得IRF640成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。
  TO-220封装的IRF640普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用,低热阻和低成本的TO-220封装,使IRF640得到业内的普遍认可。D2Pak封装的IRF640适用于贴片安装,比起现有的任何其他贴片封装,可说是功率最高,导通阻抗最低。TO-262是IRF640的通孔安装版,适合较低端的应用。
IRF640 参数
IRF640 基本参数
VDSS   200 V
ID @25℃   18 A
RDS(on) Max   150.0 mΩ
IRF640 其他特性
FET极性   N型沟道
Qg Typ   44.7 nC
IRF640 封装与引脚
TO-220AB, TO-263, TO-262

IRF640 特性

  • 先进的工艺技术
  • 贴片安装(IRF640NS)
  • 低端通孔安装(IRF640NL)
  • 动态dv/dt率
  • 175℃工作温度
  • 快速转换速率
  • 轻松并行
  • 仅需简单驱动
  • 无铅环保