微雪电子

MOSFET IRF530

IRF530

芯片信息

型号 封装 在线定购
IRF530N（查看） TO-220AB
IRF530NL（查看） TO-262
IRF530NS（查看） TO-263

引脚布局

（点击图片看大图）
技术资料—— IRF530 PDF技术资料

IRF530 概述


　　IR的HEXFET功率场效应管IRF530采用先进的工艺技术制造，具有极低的导通阻抗。IRF530这种特性，加上快速的转换速率，和以坚固耐用著称的HEXFET设计，使得IRF530成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。
　　TO-220封装的IRF530普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和低成本的TO-220封装，使IRF530得到业内的普遍认可。D2Pak封装的IRF530适用于贴片安装，比起现有的任何其他贴片封装，可说是功率最高，导通阻抗最低。TO-262是IRF530的通孔安装版，适合较低端的应用。
IRF530 参数
IRF530 基本参数
VDSS   100 V
ID @25℃   17 A
RDS(on) Max   90.0 mΩ
IRF530 其他特性
FET极性   N型沟道
Qg Typ   24.7 nC
IRF530 封装与引脚
TO-220AB, TO-263, TO-262

IRF530 特性

  • 先进的工艺技术
  • 贴片安装（IRF530NS）
  • 低端通孔安装（IRF530NL）
  • 超低导通阻抗
  • 动态dv/dt率
  • 175℃工作温度
  • 快速转换速率
  • 无铅环保