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FM22L16

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FM22L16-55-TG(查看) TSOP-II

引脚布局

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技术资料—— FM22L16 PDF技术资料

FM22L16 概述


  FM22L16是256Kx16的非易失性存储器,可像标准SRAM一样快速读写。铁电存储器(F-RAM)具有非易失性,这意味着FM22L16中的数据在掉电后仍将被保存,保存时间长达10年以上。相对于依靠后备电池的SRAM(BBSRAM)而言,FM22L16消除了可靠性忧虑,功能性缺陷以及系统设计复杂性问题。快速写入能力和超高的读/写次数,使F-RAM成为存储器中当之无愧的王者。
  FM22L16的在系统操作跟其他RAM非常相似,可作为其他标准SRAM的替换元件。FM22L16的读写周期可被/CE触发,或者通过直接改变地址来实现。F-RAM的非易失性来自于其独一无二的铁电存储器工艺,这种特性使得FM22L16成为需要像SRAM一样频繁且快速写入的非易失性存储应用的理想选择。
  FM22L16带有低电压监控保护,防止意外写入。此外,FM22L16提供软件可编程的块写保护,整个存储器被划分为8个区域,每个区域可被分别进行写保护。
  这些功能使得FM18L08成为需要频繁且快速写入的非易失性存储应用的理想选择。
FM22L16 参数
FM22L16基本参数
容量   4M (256Kx16)
访问时间   55ns
最大工作电流   18mA
电压   3.3V
FM22L16封装与引脚
TSOP-II   44PIN
FM22L16接口类型
串行    
并行  

FM22L16 特性

    4Mbit位非易失性铁电存储器
  • 结构容量为256K×16位
  • 可用/UB, /LB设置成512K×8位
  • 读/写次数达到100万亿次
  • 写数据无延迟 · 页面模式运行可达到40MHz
  • 采用先进的高可靠性铁电制造工艺

  • 可兼容SRAM
  • 符合 JEDEC 256K×16 SRAM引脚标准
  • 访问时间:55ns,周期:110ns

  • 高级功能
  • 不需电池,没有后顾之忧
  • 整体可靠性

  • 优于带后备电池的SRAM模块
  • 不需电池,没有后顾之忧
  • 整体可靠性

  • 低功耗操作
  • 工作电压:2.7V - 3.6V
  • 超低待机电流:使用ZZ引脚
  • 工作电流:18mA

  • 工业标准
  • 工业级温度:-40℃至+85℃
  • 44脚环保/RoHS TSOP-II封装
  • 真正的表面贴片安装装解决方案,没有返工步骤
  • 防止潮湿,冲击和震动的危害

  • 订购信息
  • FM22L16-55-TG 55ns访问时间,,44脚环保/RoHS TSOP-II封装