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FM20L08

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FM20L08-60-TG(查看) TSOP-I

引脚布局

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技术资料—— FM20L08 PDF技术资料

FM20L08 概述


  FM20L08是128Kx8的非易失性存储器,可像标准SRAM一样快速读写。铁电存储器(F-RAM)具有非易失性,这意味着FM20L08中的数据在掉电后仍将被保存,保存时间长达10年以上。相对于依靠后备电池的SRAM(BBSRAM)而言,FM20L08消除了可靠性忧虑,功能性缺陷以及系统设计复杂性问题。快速写入能力和超高的读/写次数,使F-RAM成为存储器中当之无愧的王者。
  FM20L08的在系统操作跟其他RAM非常相似,可作为其他标准SRAM的替换元件。FM20L08的读写周期可被/CE触发,或者通过直接改变地址来实现。F-RAM的非易失性来自于其独一无二的铁电存储器工艺,这种特性使得FM20L08成为需要像SRAM一样频繁且快速写入的非易失性存储应用的理想选择。
  这些功能使得FM18L08成为需要频繁且快速写入的非易失性存储应用的理想选择。
FM20L08 参数
FM20L08基本参数
容量   1M (128Kx8)
访问时间   60ns
最大工作电流   22mA
电压   3.13-3.63V
FM20L08封装与引脚
TSOP-I   32PIN
FM20L08接口类型
串行    
并行  

FM20L08 特性

    1Mbit位非易失性铁电存储器
  • 结构容量为131,072×8位
  • 掉电数据保存10年
  • 读/写次数无限制
  • 写数据无延迟

  • 附加功能
  • 页面模式运行可达到33MHz
  • 电压监控驱动Lockout信号
  • 采用先进的高可靠性铁电制造工艺

  • 优于带后备电池的SRAM模块
  • 不需电池,没有后顾之忧
  • 整体可靠性
  • 真正的表面贴片安装解决方案,没有返工步骤
  • 防止潮湿,冲击和震动的危害
  • 抵抗负电压脉冲能力

  • 可兼容SRAM
  • 符合JEDEC 128K×8 SRAM引脚标准
  • 访问时间:60ns
  • 周期:150ns(扩展温度)
  • 周期:350ns(工业级温度)

  • 低功耗操作
  • 工作电压:3.13V - 3.63V
  • 工作电流:22mA
  • 待机电流:25uA

  • 工业标准
  • 工业级温度: -40℃至+85℃
  • 扩展温度: -20℃至+85℃
  • 32脚TSOP Type1封装

  • 订购信息
  • FM20L08-60-TG - 工业级温度,60ns访问时间,
    32脚环环保TSOP - 无铅/环保封装
  • FM20L08-60-TGC - 扩展温度,60ns访问时间,
    32脚环保TSOP - 无铅/环保封装