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DS1230Y

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型号 封装 在线定购
DS1230Y-100+(查看) EDIP28

引脚布局

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技术资料—— DS1230Y PDF技术资料

DS1230Y 概述


DS1230Y 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM,按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容差范围,一旦超出容差范围,锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。DIP封装的DS1230Y器件可以用来替代现有的32k x 8静态RAM,符合通用的单字节宽、28引脚DIP标准。
   DS1230Y的DIP器件还与28256 EEPROM的引脚匹配,可直接替换并增强其性能。小尺寸模块封装的DS1230Y器件专为表面贴装应用设计。DS1230Y没有写次数限制,可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。
DS1230Y 参数
DS1230Y基本参数
容量   256K(32K*8)
工作电压   4.5V~5.5V
速率   70,85,100,120,
150,200
DS1230Y其他特性
存储器类型   非易失 SRAM
接口类型   并口
DS1230Y封装类型
EDIP28
PCM34

DS1230Y 特性

  • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
  • 掉电期间数据被自动保护
  • 替代32k x 8易失静态RAM、EEPROM或闪存
  • 没有写次数限制
  • 低功耗CMOS操作
  • 70ns的读写时间
  • 第一次上电前,锂电池与电路断开、维持保鲜状态
  • ±10%工作范围
  • 可选的-40℃~85℃工业级温度范围,指定为IND
  • JEDEC标准的28引脚DIP封装
  • PowerCap模块(PCM)封装
    — 表面贴装模块
    — 可更换的即时安装PowerCap提供备份锂电池
    — 所有非易失SRAM器件提供标准引脚
    — 离的PowerCap用常规的螺丝起子便可方便拆卸
    — 通过美国保险商实验室协会(UL)认证