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DS1225Y

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DS1225Y-150+(查看) EDIP28

引脚布局

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技术资料—— DS1225Y PDF技术资料

DS1225Y 概述


DS1225Y 64k非易失SRAM为65,536位、全静态非易失RAM,按照8位、8192字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容差范围,一旦超出容差范围,锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。NV SRAM可以直接替代现有的8k x 8 SRAM,符合通用的单字节宽、28引脚DIP标准。
DS1225Y还与2764 EPROM及2864 EEPROM的引脚匹配,可直接替换并增强其性能。DS1225Y没有写次数限制,可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。
DS1225Y 参数
DS1225Y基本参数
容量   64K(8K*8)
工作电压   4.5V~5.5V
速率   150,170,200
DS1225Y其他特性
存储器类型   非易失 SRAM
接口类型   并口
DS1225Y封装类型
DIP28

DS1225Y 特性

  • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
  • 掉电期间数据被自动保护
  • 直接替代2k x 8易失静态RAM或EEPROM
  • 没有写次数限制
  • 低功耗CMOS操作
  • JEDEC标准的28引脚DIP封装
  • 150ns的读写时间
  • ±10%工作范围
  • 可选的-40℃~85℃工业级温度范围,指定为IND
  • 通过美国保险商实验室协会(UL)认证