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CY62256

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CY62256LL-70SNXC(查看) SOIC
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引脚布局

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技术资料—— CY62256 PDF技术资料

CY62256 概述


  CY62256是组织结构为32K*8位字长的高性能CMOS静态RAM。通过置片选引脚(/CE)和输出使能引脚(/OE)有效和三态输出驱动,可以轻松实现存储器扩展。CY62256具备自动掉电特性,处于未选中状态时,可以有效降低99.9%以上的功耗。
  写入使能信号(/WE)控制着CY62256的读/写操作。当/CE和/WE输入皆为低时,数据便可通过8个I/O引脚(I/O0-I/O7)写入由地址线(A0-A14)指定的位置。进行读操作时,只需选中 CY62256并使能其输出,置/CE和/OE为低有效,并且保持/WE无效或者置高。此时,地址线所指定的存储器位置中的内容将会通过I/O引脚输出。
  除非CY62256被选中,或输出使能,或者/WE置高,否则I/O引脚将一直保持高阻抗状态。
CY62256 参数
CY62256基本参数
容量   256K(32Kbx8)
速度等级   55ns
电压   4.5V–5.5V
CY62256封装与引脚
窄体SOIC   28PIN
TSOP-1   28PIN
倒序TSOP-Ⅰ   28PIN
DIP   28PIN
CY62256接口类型
串行    
并行  

CY62256 特性

  • 高速率
    —55 ns
  • 温度等级
    —商业级: 0℃ ~ 70℃
    —工业级:–40℃ ~ 85℃
    —军工级: –40℃ ~ 125℃
  • 电压范围
    —4.5V – 5.5V
  • 低工作功耗,低待机功耗
  • 通过/CE和/OE轻松实现存储器扩展
  • 兼容TTL输入输出标准
  • 未选中时自动掉电
  • CMOS工艺,最佳速率功耗比
  • 标准28脚窄体SOIC,28脚TSOP-1,28脚倒序TSOP-1和28脚DIP封装可分别选择有铅型和环保型