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AT45DB081D

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引脚布局

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技术资料—— AT45DB081D PDF技术资料

AT45DB081D 概述


  AT45DB081的AT45DB081D版:
  AT45DB081D是一款2.5V或2.7V,串行接口的FLASH存储器,是各种数字语音,图像,程序代码和数据存储应用的理想选择。AT45DB081D支持RapidS串行接口,适用于要求高速操作的应用。RapidS串行接口兼容SPI,最高频率可达66MHz。AT45DB081D的存储容量为8,650,752位,组织形式为4,096页,每页256或264页。
  除了主存储器外,AT45DB081D还包含2个256/264字节的SRAM缓冲区。缓冲区允许在对主存储器的页面重新编程时接收数据,也可写入连续的数据串。通过独立的“读-改-写”三步操作,可以轻松实现EEPROM仿真(可设置成位或字节)。DataFlash通过RapidS串行接口顺序访问数据,而不像传统FLASH存储器那样通过复用总线和并行接口随机存取。
  简单顺序访问机制极大的减少了有效引脚的数量,有利于硬件布局,增强了系统可靠性,将切换噪音降至最小,并缩小了封装的尺寸。
对于许多要求高容量,低引脚数,低电压和低功耗的商业级或工业级应用来讲,AT45DB081D是最佳的选择。
  为了实现简单的在系统重复编程,AT45DB081D并不需要高输入电压来支持编程。AT45DB081D工作在独立的2.5V至3.6V或者2.7V至3.6V电压下,用于编程和读取操作。AT45DB081D可通过片选引脚(/CS)使能,并通过3-wire接口访问,3-wire由串行输入(SI),串行输出(SO),和串行时钟(SCK)组成。
  所有的编程和擦除周期都遵循自时序。
AT45DB081D 参数
AT45DB081D 基本参数
容量   8M
Vcc (V)   2.5, 2.7
AT45DB081D 其他特性
I/O引脚   8
接口类型   SPI,RapidS
页面大小 (Bytes)   264
AT45DB081D 封装类型
SOIC8 (150mil)
SOIC8 (208mil)
MLF(VDFN)8

AT45DB081D 特性

    AT45DB081的AT45DB081D版:
  • 单独2.5V或2.7V至3.6V工作电压 RapidS串行接口:66 MHz最小时钟频率 SPI兼容模式 0 和 3 用户自定义页面大小
    — 256 字节每页
    — 264 字节每页
  • 页编程操作
    — 智能编程操作
    — 4,096 页(256/264 字节/页)主存储器
  • 灵活的擦除选项
    — 页擦除(256 Bytes)
    — 块擦除(2 Kbytes)
    — 扇区擦除(64 Kbytes)
    — 片擦除(8 Mbits)
  • 2个SRAM数据缓冲区(256/264 字节)
    — 在对FLASH阵列重新编程时允许接收数据
  • 通过整体阵列可连续读取
    — 代码映射应用的理想选择
  • 低功耗
    — 7 mA 典型有效读取电流
    — 25 μA典型待机电流
    — 5 μA 典型掉电模式电流
  • 硬件和软件数据保护特性
    — 独立扇区
  • 扇区锁定,用于代码安全和数据存储
    — 独立扇区
  • 安全性:128字节安全寄存器
    — 64字节用户可编程空间
    — 唯一的64字节设备标识符
  • JEDEC标准的制造商和器件ID标识
  • 每页编程/擦除周期最小100,000次
  • 数据保存-20年
  • 工业级温度范围
  • 可选绿色环保(Pb/Halide-free/RoHS 认证)封装