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STM8 FLASH主要特性

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STM8内部的FLASH程序存储器和数据EEPROM由一组通用寄存器来控制。用户可以使用这些寄存器来编程或擦除存储器的内容、设置写保护、或者配置特定的低功耗模式。用户也可以对器件的选项字节(Option byte)进行编程。

  • STM8S EEPROM分为两个存储器阵列:
    • 最多至 128K字节的FLASH程序存储器,不同的器件容量有所不同。请参考4.4存储器组织结构了解更多细节。
    • 最多至 2K字节的数据EEPROM(包括option byte-选择字节),不同的器件容量有所不同。请参考4.4存储器组织结构了解更多细节。
  • 编程模式
    • 字节编程和自动快速字节编程(没有擦除操作)
    • 字编程
    • 块编程和快速块编程(没有擦除操作)
    • 在编程/擦除操作结束时和发生非法编程操作时产生中断
  • 读同时写(RWW)功能。该特性并不是所有STM8S器件都拥有。请参考ATM8具体的数据手册了解更多细节。
  • 在应用编程(IAP)和在线编程(ICP)能力。
  • 保护特性
    • 存储器读保护(ROP)
    • 基于存储器存取安全系统(MASS密钥)的程序存储器写保护
    • 基于存储器存取安全系统(MASS密钥)的数据存储器写保护
    • 可编程的用户启动代码区域(UBC)写保护
  • 在待机(Halt)模式和活跃待机(Active-halt)模式下,存储器可配置为运行状态和掉电状态。

STM8 FLASH主要特性

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