SRAM 数据存储器

ATmega128 支持两种不同的SRAM 配置，如Table 1 所示。

Figure 9 说明了ATmega128 的SRAM 存储器是如何组织的。

ATmega128是一个复杂的微处理器，其支持的外设要比预留的64个I/O(通过IN/OUT指令访问) 所能支持的要多。对于扩展的I/O 空间$60 - $FF，只能使用ST/STS/STD 和LD/LDS/LDD 指令。当ATmega128 工作于ATmega103 兼容模式时，扩展的I/O 将无法访问。

在普通模式下，前4352 个数据地址包含寄存器文件， I/O 存储器，扩展的I/O 存储器以 及内部数据SRAM。起始的32 个地址为寄存器文件，然后是64 个I/O 存储器，接着是 160 个扩展的I/O 存储器，最后是4096 字节的内部数据SRAM。

在ATmega103 兼容模式下，前4096 个数据地址包含寄存器文件， I/O 存储器以及内部 数据SRAM。起始的32 个地址为寄存器文件，然后是64 个I/O 存储器，最后是4000 字 节的内部数据SRAM。

ATmega128 还可以访问直到64K的外部数据SRAM。其起始紧跟在内部SRAM之后。 在 普通模式下，寄存器文件、I/O 存储器、扩展的I/O 存储器以及内部数据SRAM 占据了低 4352字节；而在ATmega103兼容模式下占据了4096字节(没有扩展I/O)。因此，在使用外 部存储器时普通模式只能有61184 字节， ATmega103 兼容模式只能有61440 字节。具 体请参见 P 23“ 外部存储器接口” 。

当访问SRAM 的地址超出内部SRAM 的地址时， MCU 将对外部SRAM 寻址（指令相 同）。访问内部SRAM 时读/ 写锁存信号(PG0 和PG1) 无效。若要访问外部SRAM，必 须置位MCUCR 的SRE。

访问外部SRAM 比访问内部的要多一个时钟周期，这意味着LD、ST、LDS、STS、 LDD、STD、PUSH 和POP 指令将多一个时钟周期。如果堆栈放置于外部SRAM，则中 断和函数调用将花费额外的三个时钟周期。如果外部SRAM 接口使用了1、2、3 个等待 周期，则访问周期将相应增加2、3、4 个时钟周期；中断和子程序调用的开销则增加5、 7、9 个时钟周期。

数据寻址模式分为5 种：直接寻址，带偏移量的间接寻址，间接寻址，预减的间接寻址， 以及后加的间接寻址。寄存器R26 到R31 为间接寻址的指针寄存器。

直接寻址访问整个数据空间。

带偏移量的间接寻址模式寻址到Y、Z 指针给定地址附近的63 个地址。

带预减和后加的间接寻址模式要用到X、Y、Z 指针。

32个通用寄存器，64个I/O寄存器，4096字节的SRAM可以被所有的寻址模式所访问。寄 存器文件说明见P 9“ 通用寄存器文件” 。

数据存储器访问时间

本节说明访问内部存储器的时序。如Figure 10 所示，内部数据SRAM 访问时间为两个clk_CPU 时钟。