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K4S560832E

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技术资料—— K4S560832E PDF技术资料

K4S560832E 概述


  K4S560832E是一款268,435,456 bits高速SDRAM。K4S560832E采用三星电子的高性能CMOS工艺制造,其组织结构为4x8,388,608字,8bits位宽。K4S560832E的同步设计,再配合系统时钟I/O事务,使得每个时钟周期里的精细周期控制成为可能。工作频率范围、可编程突发长度、加上可编程潜伏期,这些特性让同样的K4S560832E器件得以适应许多的要求高带宽、高性能的存储系统应用。
K4S560832E 参数
K4S560832E 基本参数
容量   256 Mb
结构   4 x 8M x 8bits
位宽   8 bits
K4S560832E 其他特性
电压   3.3 V
Bank/接口   4/LVTTL
速度/频率   7.5ns (133MHz@CL=3)
刷新   8K/64ms
K4S560832E 封装与引脚
54TSOP2

K4S560832E 特性

  • JEDEC标准3.3V工作电压
  • 复合地址,兼容LVTTL
  • K4S560832E包含4个banks
  • MRS周期带有地址键值编程
    • CAS延迟(2 & 3)
    • 突发长度(1,2,4,8 & 整页)
    • 突发类型(顺序 & 交错)
  • K4S560832E所有输入发生在系统时钟的上升沿
  • 突发读、独位写操作
  • K4S560832E由DQM实现数据屏蔽
  • 自动刷新&自刷新(self refresh)
  • 刷新时间:8K/64ms