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IRF7832

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IRF7832(查看) SO-8
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引脚布局

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技术资料—— IRF7832 PDF技术资料

IRF7832 概述


  IRF7832利用先进的HEXFET Power MOSFET技术,在4.5V VGS下,具有极低的RDS(on)和超低栅极阻抗,IRF7832可用作同步MOSFET为笔记本处理器供电,或是在网络系统的隔离DC-DC转换器中充当同步整流MOSFET。
  IRF7832的封装类型为SO-8,适用于贴片安装。
IRF7832 参数
IRF7832 基本参数
VDSS   30 V
ID @25℃   20.0 A
RDS(on) Max   4.0 mΩ
IRF7832 其他特性
FET极性   N型沟道
Qg Typ   34.0 nC
IRF7832 封装与引脚
SO-8

IRF7832 特性

  • 4.5V VGS下,RDS(on)极低
  • 超低栅极阻抗
  • 完美的雪崩性能
  • 最大VGS 20V
  • 100% Rg 测试
  • 无铅环保