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IRF7807

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引脚布局

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IRF7807 概述


  IRF7807利用先进的HEXFET Power MOSFET技术,在导通阻抗和栅电荷间取得了前所未有的平衡。由于降低了传输和转换的损耗,IRF7807成为了高效DC-DC转换器的理想选择,可为最新一代的移动微处理器供电。一对IRF7807器件将为诸如3.3V和5V的系统电压提供最高性价比的解决方案。
  IRF7807的SO-8封装经过用户化的引脚框架改良,增强了热工特性。IRF7807的SO-8封装专为气相、红外、或波动焊接技术而设计
IRF7807 参数
IRF7807 基本参数
VDSS   30 V
ID @25℃   8.3 A
RDS(on) Max   25.0 mΩ
IRF7807 其他特性
FET极性   N型沟道
Qg Typ   12.0 nC
IRF7807 封装与引脚
SO-8

IRF7807 特性

  • N型沟道特定应用MOSFET
  • 移动DC-DC转换器的理想选择
  • 低传输损耗
  • 低转换损耗
  • 100% RG 测试
  • 完美的雪崩性能
  • 无铅环保