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IRF630

订购信息

型号 封装 在线定购
IRF630N(查看) TO-220AB
IRF630NL(查看) TO-262
IRF630NS(查看) TO-263

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技术资料—— IRF630 PDF技术资料

IRF630 概述


  IR的第五代HEXFET功率场效应管IRF630采用先进的工艺技术制造,具有极低的导通阻抗。IRF630这种特性,加上快速的转换速率,和以坚固耐用著称的HEXFET设计,使得IRF630成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。
  TO-220封装的IRF630普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用,低热阻和低成本的TO-220封装,使IRF630得到业内的普遍认可。D2Pak封装的IRF630适用于贴片安装,比起现有的任何其他贴片封装,可说是功率最高,导通阻抗最低。TO-262是IRF630的通孔安装版,适合较低端的应用。
IRF630 参数
IRF630 基本参数
VDSS   200 V
ID @25℃   9.5 A
RDS(on) Max   300 mΩ
IRF630 其他特性
FET极性   N型沟道
Qg Typ   23.3 nC
IRF630 封装与引脚
TO-220AB, TO-263, TO-262

IRF630 特性

  • 先进的工艺技术
  • 贴片安装(IRF630NS)
  • 低端通孔安装(IRF630NL)
  • 动态dv/dt率
  • 175℃工作温度
  • 快速转换速率
  • 轻松并行
  • 仅需简单驱动
  • 无铅环保