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IRF4905

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IRF4905(查看) TO-220AB
IRF4905L(查看) TO-262
IRF4905S(查看) TO-263

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技术资料—— IRF4905 PDF技术资料

IRF4905 概述


  IR的第五代HEXFETs功率场效应管IRF4905采用先进的工艺技术制造,具有极低的导通阻抗。IRF4905这种特性,加上快速的转换速率,和以坚固耐用著称的HEXFET设计,使得IRF4905成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。
  TO-220封装的IRF4905普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用,低热阻和低成本的TO-220封装,使IRF4905得到业内的普遍认可。D2Pak封装的IRF4905适用于贴片安装,其特性包括:150℃的结点工作温度、快速转换速率以及增强的可恢复性雪崩击穿等级。TO-262是IRF4905的通孔安装版,适合较低端的应用。
IRF4905 参数
IRF4905 基本参数
VDSS   -55 V
ID @25℃   -74 A
RDS(on) Max   175.0 mΩ
IRF4905 其他特性
FET极性   P型沟道
Qg Typ   120.0 nC
IRF4905 封装与引脚
TO-220AB, TO-263, TO-262

IRF4905 特性

  • 先进的工艺技术
  • 贴片安装 - IRF4905S
  • 低端通孔安装 - IRF4905L
  • 超低导通阻抗
  • 动态dv/dt率
  • 工作温度
    • 170℃ - IRF4905
    • 150℃ - IRF4905S、IRF4905L
  • 快速转换速率
  • P型沟道
  • 可恢复性雪崩击穿可达Tjmax
  • 无铅环保