logo

IRF3415

订购信息

型号 封装 在线定购
IRF3415(查看) TO-220AB
IRF3415L(查看) TO-262
IRF3415S(查看) TO-263

引脚布局

(点击图片看大图)
技术资料—— IRF3415 PDF技术资料

IRF3415 概述


  IR的HEXFET功率场效应管IRF3415采用先进的工艺技术制造,具有极低的导通阻抗。IRF3415这种特性,加上快速的转换速率,和以坚固耐用著称的HEXFET设计,使得IRF3415成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。
  TO-220封装的IRF3415普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用,低热阻和低成本的TO-220封装,使IRF3415得到业内的普遍认可。D2Pak封装的IRF3415适用于贴片安装,比起现有的任何其他贴片封装,可说是功率最高,导通阻抗最低。TO-262是IRF3415的通孔安装版,适合较低端的应用。
IRF3415 参数
IRF3415 基本参数
VDSS   150 V
ID @25℃   43 A
RDS(on) Max   42.0 mΩ
IRF3415 其他特性
FET极性   N型沟道
Qg Typ   133.3 nC
IRF3415 封装与引脚
TO-220AB, TO-263, TO-262

IRF3415 特性

  • 先进的工艺技术
  • 贴片安装(IRF3415S)
  • 低端通孔安装(IRF3415L)
  • 动态dv/dt率
  • 175℃工作温度
  • 快速转换速率
  • 无铅环保