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IRF3205

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IRF3205(查看) TO-220AB
IRF3205L(查看) TO-262
IRF3205S(查看) TO-263

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技术资料—— IRF3205 PDF技术资料

IRF3205 概述


  IR的HEXFET功率场效应管IRF3205采用先进的工艺技术制造,具有极低的导通阻抗。IRF3205这种特性,加上快速的转换速率,和以坚固耐用著称的HEXFET设计,使得IRF3205成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。
  TO-220封装的IRF3205普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用,低热阻和低成本的TO-220封装,使IRF3205得到业内的普遍认可。D2Pak封装的IRF3205适用于贴片安装,比起现有的任何其他贴片封装,可说是功率最高,导通阻抗最低。TO-262是IRF3205的通孔安装版,适合较低端的应用。
IRF3205 参数
IRF3205 基本参数
VDSS   55 V
ID @25℃   98 A
RDS(on) Max   8.0 mΩ
IRF3205 其他特性
FET极性   N型沟道
Qg Typ   97.3 nC
IRF3205 封装与引脚
TO-220AB, TO-263, TO-262

IRF3205 特性

  • 先进的工艺技术
  • 贴片安装(IRF3205S)
  • 低端通孔安装(IRF3205L)
  • 超低导通阻抗
  • 动态dv/dt率
  • 175℃工作温度
  • 快速转换速率
  • 无铅环保