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IRF024

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型号 封装 在线定购
IRFR024N(查看) TO-252AA
IRFU024N(查看) TO-251AA

引脚布局

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技术资料—— IRF024 PDF技术资料

IRF024 概述


  第五代HEXFET功率场效应管IRF024采用IR公司先进的工艺技术制造,具有极低的导通阻抗。IRF024这种特性,加上快速的转换速率,和以坚固耐用著称的HEXFET设计,使得IRF024成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。
  IRF024的D-PAK封装采用汽相、红外和波峰焊接工艺,适用于贴片安装。IRF024的直引脚版本(IRFU 系列)则适用于通孔安装的应用。在典型的贴片安装应用中,IRF024的功耗水平可达1.5W。
IRF024 参数
IRF024 基本参数
VDSS   55 V
ID @25℃   16 A
RDS(on) Max   75.0 mΩ
IRF024 其他特性
FET极性   N型沟道
Qg Typ   13.3 nC
IRF024 封装与引脚
TO-252AA, TO-251AA

IRF024 特性

  • 超低导通阻抗
  • 贴片安装(IRFR024N)
  • 直引脚(IRFU024N)
  • 先进的工艺技术
  • 快速转换速率
  • 完全雪崩测试
  • 无铅环保