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CY62128B

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CY62128BLL-70SXI(查看) SOIC

引脚布局

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技术资料—— CY62128B PDF技术资料

CY62128B 概述


  CY62128B是组织结构为131,072*8位字长的高性能CMOS静态RAM。通过低触发片选引脚(/CE1),高触发片选引脚(CE2),低触发输出使能引脚(/OE)和三态输出驱动,可以轻松实现存储器扩展。CY62128B具备自动掉电特性,处于未选中状态时,可以有效降低75%以上的功耗。
  当片选引脚1(/CE1)和写入使能引脚(/WE)置低电平,片选引脚2(CE2)置高电平时,便可实现CY62128B的写操作。此时,数据便可通过8个I/O引脚(I/O0-I/O7)写入由地址线(A0-A16)指定的位置。
  当片选引脚1(/CE1)和输出使能引脚(/OE)置低电平并且置写入使能引脚(/WE)和片选引脚2(CE2)为高时,便可实现CY62128B的读操作。此时,地址线所指定的存储器位置中的内容将会通过I/O引脚输出。
  当CY62128B处于未选中状态(/CE1为高或CE2为低),或输出被禁止(/OE为高),或者在写操作的过程中(/CE1为低或CE2为高,并且/WE为低),8个I/O引脚(I/O0-I/O7)将处于高阻抗状态。
  CY62128B的封装类型包括:标准450mil宽度SOIC,32脚TSOP-1和STSOP。
CY62128B 参数
CY62128B基本参数
容量   1M(128Kbx8)
速度等级   70ns
工作功耗   82.5mW
电压   4.5V–5.5V
CY62128B封装与引脚
SOIC   32PIN
TSOP-1   32PIN
STSOP   32PIN
CY62128B接口类型
串行    
并行  

CY62128B 特性

  • 温度等级
    —商业级: 0℃ ~ 70℃
    —工业级:–40℃ ~ 85℃
    —军工级: –40℃ ~ 125℃
  • 工作电压 4.5V–5.5V
  • CMOS工艺,最佳速率功耗比
  • 低工作功耗(70 ns, LL 版本, 商业级, 工业级)
    —82.5 mW (max.) (15 mA)
  • 低待机功耗(70 ns, LL 版本, 商业级, 工业级)
    —110 μW (max.) (15 μA)
  • 未选中时自动掉电
  • 兼容TTL输入输出标准
  • 使用/CE1, CE2, 和/OE轻松实现存储扩展