CY62128B 概述CY62128B是组织结构为131,072*8位字长的高性能CMOS静态RAM。通过低触发片选引脚(/CE1),高触发片选引脚(CE2),低触发输出使能引脚(/OE)和三态输出驱动,可以轻松实现存储器扩展。CY62128B具备自动掉电特性,处于未选中状态时,可以有效降低75%以上的功耗。 当片选引脚1(/CE1)和写入使能引脚(/WE)置低电平,片选引脚2(CE2)置高电平时,便可实现CY62128B的写操作。此时,数据便可通过8个I/O引脚(I/O0-I/O7)写入由地址线(A0-A16)指定的位置。 当片选引脚1(/CE1)和输出使能引脚(/OE)置低电平并且置写入使能引脚(/WE)和片选引脚2(CE2)为高时,便可实现CY62128B的读操作。此时,地址线所指定的存储器位置中的内容将会通过I/O引脚输出。 当CY62128B处于未选中状态(/CE1为高或CE2为低),或输出被禁止(/OE为高),或者在写操作的过程中(/CE1为低或CE2为高,并且/WE为低),8个I/O引脚(I/O0-I/O7)将处于高阻抗状态。 CY62128B的封装类型包括:标准450mil宽度SOIC,32脚TSOP-1和STSOP。 |
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CY62128B 特性
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