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| ATtiny26L
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(点击图片看大图)
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ATtiny26L主要特性如下:
高性能、低功耗的 8 位AVR 微处理器
高级RISC 结构
118 条指令 – 大多数指令执行时间为单个时钟周期
32 个8 位通用工作寄存器
全静态工作
工作于16 MHz 时性能高达16 MIPS
非易失性程序和数据存储器
2K字节的系统内可编程Flash
擦写寿命: 10,000 次
128字节的系统内可编程EEPROM
擦写寿命: 100,000 次
128字节的片内SRAM
可以对锁定位进行编程以及实现EEPROM 数据的加密
外设特点
具有独立预分频器的8 位定时器/ 计数器
具有独立预分频器的高速8 位定时器
2 个具有独立输出比较寄存器的高频率PWM
非重叠的反相PWM 输出引脚
具有开始状态检测器的通用串行接口
10位ADC
11 个单端通道
8 个差分ADC 通道
7 对具有可编程增益(1x, 20x)的差分通道
片内模拟比较器
外部中断
11个引脚电平变化可以触发中断
具有独立片内振荡器的可编程看门狗定时器
特殊的处理器特点
低功耗空闲模式、噪声抑制模式、省电模式
上电复位以及可编程的掉电检测
片内/ 片外中断源
通过SPI 端口在系统内可编程
经过标定的片内RC 振荡器
I/O 和封装
20引脚PDIP/SOIC: 16 个可编程I/O 线
32引脚MLF: 16 个可编程I/O 线
工作电压:
ATtiny26L:2.7V - 5.5V
ATtiny26:4.5V - 5.5V
速度等级
ATtiny26L:0 - 8 MHz
ATtiny26:0 - 16 MHz
ATtiny26L 的功耗
16 MHz, 5V, 25℃:15 mA
1 MHz, 3V, 25℃: 0.70 mA
1 MHz, 3V, 25℃, 空闲模式: 0.18 mA
掉电模式: < 1 μA |
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Flash ROM |
2KB |
SRAM |
128B |
EEPROM |
128B |
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工作频率 |
0-8MHz (ATtiny26L)
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| 0-16MHz (ATtiny26) |
工作电压 |
2.7-5.5V (ATtiny26L)
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| 4.5-5.5V (ATtiny26) |
I/O口 |
16个 |
16位定时器 / 计数器 |
NO |
8位定时器 / 计数器 |
2 |
PWM |
2 |
RTC |
NO |
SPI |
USI |
UART |
NO |
TWI |
USI |
10位ADC |
11 |
模拟比较器 |
1 |
WDT |
1(带独立片内振荡器) |
外部中断 |
1 |
睡眠模式 |
4种 |
硬件乘法器 |
NO |
引脚电平中断/唤醒功能 |
YES |
片内振荡器 |
YES |
掉电检测 |
YES |
上电复位 |
YES |
ATtiny26L封装与引脚数 |
PDIP |
20PIN |
SOP |
20PIN |
QFN / MLF |
32PIN |
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编程方式 |
ISP H/PV |
仿真方式 |
仿真头接入,模拟式仿真 |
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