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产品中心 AVR ATtiny2313V
ATtiny2313V

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型号 封装 在线定购
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引脚布局

ATtiny2313V
（点击图片看大图）
　技术资料

  ATtiny2313V PDF技术资料

ATtiny2313V 简介
    ATtiny2313V主要特性如下：
  • 使用 AVR RISC 结构
  • AVR – 高性能、低功耗的RISC 结构
    • 120 条指令 – 大多数指令执行时间为单个时钟周期
    • 32 个8 位通用工作寄存器
    • 全静态工作
    • 工作于20 MHz 时性能高达20 MIPS
  • 非易失性程序和数据存储器
    • 2K字节的系统内可编程Flash
      • 擦写寿命: 10,000 次
    • 128字节的系统内可编程EEPROM
      • 擦写寿命: 100,000 次
    • 128字节的片内SRAM
    • 可以对锁定位进行编程以及实现EEPROM 数据的加密
  • 外设特点
    • 具有独立预分频器及比较模式的8位定时器/计数器
    • 具有独立预分频器及比较、捕获模式的16位定时器/计数器
    • 四路 PWM 通道
    • 片内模拟比较器
    • 具有片内振荡器的可编程看门狗定时器
    • USI
    • 全局串行接口
    • 全双工 USART
  • 特殊的处理器特点
    • debugWIRE 片上调试
    • 通过SPI 端口在系统内可编程
    • 片内/ 片外中断源
    • 低功耗空闲模式、噪声抑制模式、待机模式
    • 增强型上电复位
    • 可编程的掉电检测
    • 片内标定振荡器
  • I/O 和封装
    • 18可编程I/O 线
    • 20引脚PDIP, 20 引脚 SOIC 与20 引脚MLF
  • 工作电压:
    • 1.8 - 5.5V (ATtiny2313V)
    • 2.7 - 5.5V (ATtiny2313)
  • 速度等级
    • ATtiny2313V:0-4 MHz @1.8-5.5V, 0-10 MHz @2.7-5.5V
    • ATtiny2313:0-10 MHz @2.7-5.5V, 0-20 MHz @4.5-5.5V
  • 功耗估计
    • 正常模式:
      • 1 MHz, 1.8V: 300 μA
      • 32 kHz, 1.8V: 20 μA ( 包括振荡器)
    • 掉电模式:
    • < 0.2 μA at 1.8V
ATtiny2313V 参数
ATtiny2313V存储器
Flash ROM   2KB
SRAM   128B
EEPROM   128B
ATtiny2313V性能参数特性
工作频率   0-10MHz (ATtiny2313V)
  0-20MHz (ATtiny2313)
工作电压   1.8-5.5V (ATtiny2313V)
  2.7-5.5V (ATtiny2313)
I/O口   20个
16位定时器 / 计数器   1
8位定时器 / 计数器   1
PWM   4
RTC   NO
SPI   USI
UART   1
TWI   USI
10位ADC   NO
模拟比较器   1
WDT   1（带独立片内振荡器）
外部中断   2
睡眠模式   3种
硬件乘法器   NO
片内振荡器   YES
引脚电平中断/唤醒功能   YES
掉电检测   YES
上电复位   YES
ATtiny2313V封装与引脚数
PDIP   20PIN
SOP   20PIN
QFN / MLF   20PIN
ATtiny2313V编程与调试方式
编程方式   ISP　IAP　H/PV
仿真方式   debugWIRE

ATtiny2313V 相关资料

　开发资料
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