ATtiny2313V 简介		ATtiny2313V 参数
	· · — — — — · — - — - — — · — — — — — — — — · — — — — — — — · — — · — — · — — · — - - — - ATtiny2313V主要特性如下： 使用 AVR RISC 结构 AVR – 高性能、低功耗的RISC 结构 120 条指令 – 大多数指令执行时间为单个时钟周期 32 个8 位通用工作寄存器 全静态工作 工作于20 MHz 时性能高达20 MIPS 非易失性程序和数据存储器 2K字节的系统内可编程Flash 擦写寿命: 10,000 次 128字节的系统内可编程EEPROM 擦写寿命: 100,000 次 128字节的片内SRAM 可以对锁定位进行编程以及实现EEPROM 数据的加密 外设特点 具有独立预分频器及比较模式的8位定时器/计数器 具有独立预分频器及比较、捕获模式的16位定时器/计数器 四路 PWM 通道 片内模拟比较器 具有片内振荡器的可编程看门狗定时器 USI 全局串行接口 全双工 USART 特殊的处理器特点 debugWIRE 片上调试 通过SPI 端口在系统内可编程 片内/ 片外中断源 低功耗空闲模式、噪声抑制模式、待机模式 增强型上电复位 可编程的掉电检测 片内标定振荡器 I/O 和封装 18可编程I/O 线 20引脚PDIP, 20 引脚 SOIC 与20 引脚MLF 工作电压: 1.8 - 5.5V (ATtiny2313V) 2.7 - 5.5V (ATtiny2313) 速度等级 ATtiny2313V:0-4 MHz @1.8-5.5V, 0-10 MHz @2.7-5.5V ATtiny2313:0-10 MHz @2.7-5.5V, 0-20 MHz @4.5-5.5V 功耗估计 正常模式: 1 MHz, 1.8V: 300 μA 32 kHz, 1.8V: 20 μA ( 包括振荡器) 掉电模式: < 0.2 μA at 1.8V		ATtiny2313V存储器 　Flash ROM 　2KB 　SRAM 　128B 　EEPROM 　128B 　ATtiny2313V性能参数特性 　工作频率 　0-10MHz (ATtiny2313V) 　0-20MHz (ATtiny2313) 　工作电压 　1.8-5.5V (ATtiny2313V) 　2.7-5.5V (ATtiny2313) 　I/O口 　20个 　16位定时器 / 计数器 　1 　8位定时器 / 计数器 　1 　PWM 　4 　RTC 　NO 　SPI 　USI 　UART 　1 　TWI 　USI 　10位ADC 　NO 　模拟比较器 　1 　WDT 　1（带独立片内振荡器） 　外部中断 　2 　睡眠模式 　3种 　硬件乘法器 　NO 　引脚电平中断/唤醒功能 　YES 　片内振荡器 　YES 　掉电检测 　YES 　上电复位 　YES　 　ATtiny2313V封装与引脚数 　PDIP 　20PIN 　SOP 　20PIN 　QFN / MLF 　20PIN 　ATtiny2313V编程与调试方式 　编程方式 　ISP　IAP　H/PV 　仿真方式 　debugWIRE
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